高効率光電変換デバイスの実現に向けたIII族窒化物のマルチバンドエンジニアリング

体系的課題番号：JPMJPR12C4
実施期間：2012 - 2015
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(MANA), ICYS-MANA researcher )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR12C4
研究概要：

幅広い波長領域に対応する直接遷移型のIII族窒化物半導体は、優れた高効率な光電エネルギー変換デバイスを構成できます。本研究では、高効率エネルギー利用のための新たなInGaNの多層ナノ界面変調のコンセプトを実証することで、高In組成のInGaNのp型化を実現し、高効率な光電変換デバイスの実現に挑戦します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：エネルギー高効率利用と相界面
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2015 終了報告書

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