研課題
J-GLOBAL ID:202104018604596972  研究課題コード:14528225

CMOS技術と機能性強誘電体薄膜を用いた新規フォトニックデバイスの開発(FF-Photon)

実施期間:2014 - 2016
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 大学院理工学研究科(工学系), 教授 )
研究概要:
本研究は、CMOS技術に適合する条件で、シリコンウェハー上に高い電気光学特性を持つ強誘電体薄膜の作製技術を開発し、新しい超小型低消費電力プラズモニック光学デバイスの作製とその優位性を示すことを目的とする。 具体的には、日本側はシリコンウェハー上への強誘電体薄膜の集積技術の構築を担当する。スイス側はデバイス設計と作製を担当し、イタリア側はデバイス評価を担当する。 日欧の研究チームが相互補完的に取り組むことで、強誘電体薄膜の電気光学特性が解明され、シリコンウェハーに集積されたマイクロメートルサイズの超小型フォトニックデバイスが経済的かつ実用化に適した形で製作されることが期待される。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 光技術を用いたものづくり
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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