三極型高周波プラズマCVD法による32nm 世代LSI用カーボンナノチューブ配線の作製技術の開発

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電気電子工学科, 助教授 )
研究概要：

2010年に実用化が予定されている32nm世代の大規模集積回路(LSI)では,配線材料としてカーボンナノチューブ(CNT)の使用が提案されている.本研究では,代表研究者が開発した三極型高周波プラズマCVD法を用いて,大面積のSiウエハー(300mm)上の配線部分に,400°C台で,CNTを作製する技術を開発する.その結果,32nm世代のLSI開発に必要なCNT配線の作製技術を確立する.

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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