室温成長Si酸化膜を利用した低耐熱デバイスの開発

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 助手 )
研究概要：

有機ELや液晶ディスプレーといった低耐熱材料を用いた光デバイスでは、材料の劣化を防ぐため極力低温のプロセスが必要とされる。これらのデバイス作製では高絶縁性を示す透明酸化膜が必須であるが、その低温成長は困難であり重要な検討課題となっている。現在はSi酸化膜が絶縁体として用いられているが、100°C以下で作製した場合Si酸化膜はヒドロキシル基(-OH)を多く含有してしまい、低絶縁性かつ吸水性が高くなるという問題がある。そこで本研究では、高絶縁性かつ疎水性のSi系酸化膜を室温近傍で作製し、上記低耐熱デバイスへ応用することを最終目的とする。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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