単一分子磁石における遅い磁気緩和の起源【JST・京大機械翻訳】

Gu Lei; Wu Ruqian

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200044205860 整理番号：22P0128537

単一分子磁石における遅い磁気緩和の起源【JST・京大機械翻訳】

Origins of Slow Magnetic Relaxation in Single-Molecule Magnets

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発行年： 2020年02月13日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年09月14日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

単一分子磁石における磁気緩和時間の実験データに適合するために指数とべき乗則の温度依存性が広く用いられている。これらの規則がアンダーリング緩和機構から生じ,それらの発生条件を明らかにするために理論を導いた。この理論は,最近の実験で見出された低予想Orbach障壁のパズルを解決し,それは,脱ガムにおけるRaman過程の結果として解明する。これらの結果は,磁性分子における長時間コヒーレンスを達成するために,基底状態二重項間の直接トンネリング速度の低減の重要性を強調する。この目的のために,大きなスピンと小さな横方向磁気異方性は遷移演算子の大きさを減少でき,剛性配位子はスピン-フォノン結合を弱め,振動モードのエネルギーを高め,音響フォノンをよりよく遮蔽する。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の磁性

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