三元CoSP半導体の理論的研究:光起電力応用の候補【JST・京大機械翻訳】

Houari Abdesalem; Benissad Fares

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200093740347 整理番号：22P0125660

三元CoSP半導体の理論的研究:光起電力応用の候補【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Study of Ternary CoSP Semiconductor: a Candidate for Photovoltaic Applications

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発行年： 2020年03月22日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年03月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

黄鉄鉱型コバルトホスホスルフィド(CoSP)の電子構造を密度汎関数理論を用いて調べた。計算したバンド構造は,化合物の非磁性半導体特性を明らかにした。電子構造を電子バンド構造と状態密度を通して記述した。1.14eVのバンドギャップが標準GGA内で計算され,その値はハイブリッド汎関数を用いて増強された。それは,Co-3d-egで排他的に作られた伝導バンドの下部からCo-3d-t2g状態によって支配された価電子帯の上部分を分離し,その上はS-3pとP-3pのものを上回った。得られた値は,電気変換効率に対する光のShockley-Queisser理論に従って,太陽電池への応用に適している。有望なFeS_2化合物の一つに関してより大きなCoSPバンドギャップの起源を説明し,化学結合特性に取り組んだ。いくつかの類似性が見つかる比較画像を確立し,CoSPが光起電力において大きな実用的興味を持つことを示唆した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造

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