温度勾配に垂直なP-N-P急峻ヘテロ構造の熱電性能【JST・京大機械翻訳】

Nan Bohang; Xu Guiying; Yang Quanxin; Guo Tao

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200094634311 整理番号：22P0193759

温度勾配に垂直なP-N-P急峻ヘテロ構造の熱電性能【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric performance of P-N-P abrupt heterostructures vertical to temperature gradient

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発行年： 2020年09月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年09月23日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

熱電性能を改善するために温度勾配に垂直なP-N-P突然ヘテロ構造のモデルを示した。P-N-Pヘテロ構造は,空乏層に平行な外部印加温度勾配により,突然のバイポーラ接合トランジスタと考えられる。N型とP型熱電材料としてBi_2Te_3とBi_0.5Sb_1.5Te_3を例として,それぞれ,作動電力を増幅しながらSeebeck係数と電気伝導率を制御する目的を達成した。計算結果から,Seebeck係数は3312V/Kに達し,このモデルのZT_max値は45または425であり,これはバルク材料および膜よりも数十倍または数百倍も大きいことを示した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電気伝導 , 熱電デバイス

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