GaAs金属n型ナノワイヤにおける記録距離上の電荷とスピン輸送  I  高密度Fermi海における光キャリア輸送【JST・京大機械翻訳】

Hijazi Hadi; Paget Daniel; Monier Guillaume; Gregoire Gabin; Leymarie Joeel; Gil Evelyne; Cadiz Fabian; Robert-Goumet Christine; Andre Yamina

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200128312602 整理番号：21P0068463

GaAs金属n型ナノワイヤにおける記録距離上の電荷とスピン輸送 I 高密度Fermi海における光キャリア輸送【JST・京大機械翻訳】

Charge and spin transport over record distances in GaAs metallic n-type nanowires : I photocarrier transport in a dense Fermi sea

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発行年： 2020年12月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年12月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

Si基板上に水素化物気相エピタキシー(HVPE)により成長させたn型金属GaAsナノワイヤ(約10≦δ17cm≦3ドーピングレベル)における電荷とスピン輸送を調べた。これは,緊密に集束した円偏光光によりナノワイヤを励起し,励起スポットからの距離の関数として強度と円偏光スペクトルを監視することにより行った。スピン分極光電子は,同じ少数光ホールを有するFermi海のスピン非偏光電子の再結合による主線とは異なる近バンドギャップスペクトルにおいて明確な特徴を生じさせる。2(ミクロ)mの距離で,主線だけが残留し,光電子がFermi海との電荷熱力学平衡に達したことを意味する。しかし,対応するエネルギーでの強度スペクトルには線は存在しなかったが,円偏光はスペクトル中の同じエネルギーでまだ観察され,光電子がスピン配向を保持し,2つのスピンリザーバが異なるままであることを暗示した。励起スポットまでの距離の関数としての検討は,励起パワーに依存して,20%の光電子スピン分極が20(マイクロ)m以上の記録距離で輸送できることを示した。この知見は,n型ドープナノワイヤにおける長距離スピン輸送に対する応用の可能性を有する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体のルミネセンス , 分子と光子の相互作用

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