メキシコ-ハットバンド分散を持つ金属モノカルコゲナイド二重層構造におけるCoulombドラッグ【JST・京大機械翻訳】

Rostami S.; Vazifehshenas T.; Salavati-fard T.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200168876380 整理番号：22P0024314

メキシコ-ハットバンド分散を持つ金属モノカルコゲナイド二重層構造におけるCoulombドラッグ【JST・京大機械翻訳】

Coulomb drag in metal monochalcogenides double-layer structures with Mexican-hat band dispersions

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発行年： 2022年01月06日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月06日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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Boltzmann輸送理論形式を用いて,メキシコハット原子価エネルギーバンドを有する2つの平行p型ドープGaS単層から成る系のCoulomb抗力抵抗とプラズモンモード挙動を理論的に研究した。エネルギー独立散乱時間近似内のプラズモンモードと抗力抵抗に及ぼす温度,T,キャリア密度,p,および層分離の影響を調べた。その結果,プラズモンモードの密度依存性はp ̄0.5で近似できることを示した。また,計算は,音響および光プラズモンエネルギーに対して,それぞれ,ad ̄0.2およびad ̄0.1依存性を示唆した。面白いことに,著者らは,二重層金属モノカルコゲン化物における抗力抵抗の挙動が,放物線分散を有する二重量子井戸系の挙動と,大きなキャリア密度を有する二重量子ワイヤ構造の挙動の間で,振る舞うことを得た。特に,トランス抵抗値は,層間の距離の増加とともに指数関数的に減少した。さらに,抗力抵抗率は,低(中間)温度でT ̄2/p ̄4(T ̄2.8/p ̄4.5)として変化した。最後に,GaSeとInSeを含む他のメキシコハット材料によるGaSの温度の関数としての抵抗を比較し,金属モノカルコゲン化物がより小さいメキシコハット高さを持つとき,より高い値を採用することを見出した。【JST・京大機械翻訳】

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