有機Mott絶縁体κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Clに基づく電気二重層トランジスタにおけるバンド充填と帯域幅の同時制御【JST・京大機械翻訳】

Kawasugi Yoshitaka; Yamamoto Hiroshi M.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200179060594 整理番号：22P0279962

有機Mott絶縁体κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Clに基づく電気二重層トランジスタにおけるバンド充填と帯域幅の同時制御【JST・京大機械翻訳】

Simultaneous Control of Bandfilling and Bandwidth in Electric Double-Layer Transistor Based on Organic Mott Insulator $\kappa$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}$]Cl

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発行年： 2022年01月26日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月26日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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量子多体系の物理はバルク相関材料を用いて研究され,最近,原子二分子層により形成されたモir’e超格子は,キャリア濃度とバンド構造が高度に調整可能な新しいプラットフォームとして現れた。この短いレビューにおいて,著者らは,実際の有機Mott絶縁体κ-(BEDT-TTF)_2Cu[N(CN)_2]Clに基づくバンド充填および帯域幅同調電気二重層トランジスタのそれらのシステム間の中間プラットフォームを紹介した。半充填での帯域幅制御Mott転移の近接において,電子と正孔ドーピングは,同じ試料で超伝導(ほぼ同一の転移温度)を誘起した。電気二重層ドーピング下の正常状態は,多くの相関材料において,非Fermi液体挙動を示した。超伝導と非Fermi液体挙動のドーピングレベルは高度にドーピング非対称であった。異方性三角形格子に基づくモデル計算は,多くの現象とドーピング非対称性を説明し,非相互作用バンド構造(特にバンドの平坦な部分)の重要性を意味した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

金属-絶縁体転移 , トランジスタ

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