半導体J系列シリコン光電子増倍管における陽子照射損傷とアニーリング効果【JST・京大機械翻訳】

Bartlett K. D.; Coupland D. D. S.; Beckman D.; Mesick K. E.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200242355087 整理番号：22P0087990

半導体J系列シリコン光電子増倍管における陽子照射損傷とアニーリング効果【JST・京大機械翻訳】

Proton Irradiation Damage and Annealing Effects in ON Semiconductor J-Series Silicon Photomultipliers

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発行年： 2019年11月19日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2019年11月19日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

シリコンディスプレイ(SiPM)は,通常のシンチレーション材料から放射される波長に対する低いバイアス電圧と感度のため,近年,一般的な光変換デバイスになっている。これらの特性は,空間ベース検出器応用のような資源制約ミッションに対して特に魅力的である。しかし,宇宙放射環境は半導体デバイスで特に厳しいことが知られており,そこでは高い粒子フルエンスが時間とともに性能を低下させることができる。ON半導体(形式的SensL)によって製造される特定のSiPMの放射線硬度は,宇宙放射線環境に固有である高エネルギー陽子でまだ研究されていない。これらの効果を研究するために,著者らは,Los Alamos中性子科学センターで加速器によって供給される800MeV陽子の4つの異なるフルエンスに対して2つのSiPMsの照射グループを照射する。1.68x10 ̄9,1.73x10 ̄10,6.91x10 ̄10,1.73x10 ̄11陽子cm ̄-2,及び0.15,1.55,6.19,及び15.5kRadの対応する推定線量を,SiPMが10年間継続する惑星間宇宙ミッション中に受信する潜在的曝露の推定に基づいて選択した。これらの線量が暗電流と自己アニーリング時間に及ぼす影響を報告した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体の放射線による構造と物性の変化

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