テーブルトップレーザEngraverを用いたグラフェンナノインダクタの作製【JST・京大機械翻訳】

Barnesa Benjamin; Elkholy Ibrahim; Bane Nathan; Derickson Justin; Das Kausik S

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200255638681 整理番号：21P0034148

テーブルトップレーザEngraverを用いたグラフェンナノインダクタの作製【JST・京大機械翻訳】

Making Graphene Nano Inductor Using Table Top Laser Engraver

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発行年： 2020年06月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年06月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

デバイス小型化の furしい速度のため,いわゆるナノ電子デバイスに大きな関心が寄せられている。ミクロおよびナノスケールの抵抗器およびキャパシタの作製は既に着実に達成されたが,ナノスケールコイルインダクタの方法ではほとんど開発されていない。これは,金属コアの周りでコイルしたワイヤを有するソレノイドの設計の小型化における物理的限界のためである。したがって,トランジスタは着実に小さいが,エレクトロニクスにおける基本的インダクタは比較的嵩高いままであった。導電性ポリマーコイルとグラフェンベースの速度論的ナノインダクタを生成する方法はほとんどないが,それらの大規模製造プロセスは複雑で,現在利用可能な現在の市販技術を超えている。従って,このボトルネックを克服するためには,より簡単でスケーラブルでロバストな製造技術が必要である。本研究では,大きな誘導効果をもたらす(ポリ)ビニルアルコール(PVA)/酸化グラフェン膜複合材料のレーザエングレラを用いたレーザリソグラフィーからなる新しい技術を実証した。この挙動は,誘導効果をもたらす還元酸化グラフェンフレークへのπ-pi相互作用によって結合したポリアセチレン鎖から成る高曲率ねじれらせん転位型伝導経路の形成に属性を帰した。【JST・京大機械翻訳】

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