ドーピング誘起非Markov干渉は単層WSe_2における励起子線幅広がりを引き起こす【JST・京大機械翻訳】

Katsch Florian; Knorr Andreas

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200430653184 整理番号：22P0024398

ドーピング誘起非Markov干渉は単層WSe_2における励起子線幅広がりを引き起こす【JST・京大機械翻訳】

Doping-induced non-Markovian interference causes excitonic linewidth broadening in monolayer WSe$_2$

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (2件)： ,
資料名：
発行年： 2022年01月06日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月06日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

単分子層WSe_2のような原子的に薄い半導体における強いCoulomb相互作用は,緊密に結合した励起子だけでなく,それらの光学的性質をドーピングに非常に敏感にする。運動の励起子Heisenberg方程式に基づく微視的理論を利用して,励起子線幅,線シフトおよび振動子強度に及ぼすドーピングの影響を系統的に決定した。トリオン共鳴を計算し,励起子のトリオニック連続体へのCoulombカップリングが非Markov干渉を生成し,これは時間遅延により非対称励起子線形状の原因となる位相を構築し,励起子線幅を増加させることを示した。励起子とトリオン線幅,線シフト,振動子強度の計算ドーピング依存性は最近の実験を説明した。得られた洞察は,ドープした原子的に薄い半導体の光学指紋の微視的起源を提供する。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , ,
, , 【Automatic Indexing@JST】

励起子 , 半導体のルミネセンス

, , , , ,

前のページに戻る