グラフェン上の炭素吸着原子移動障壁の間接測定【JST・京大機械翻訳】

Postl Andreas; Hilgert Pit Pascal Patrick; Markevich Alexander; Madsen Jacob; Mustonen Kimmo; Kotakoski Jani; Susi Toma

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200525687930 整理番号：22P0287097

グラフェン上の炭素吸着原子移動障壁の間接測定【JST・京大機械翻訳】

Indirect measurement of the carbon adatom migration barrier on graphene

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発行年： 2022年02月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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表面拡散は多くの物理的及び化学的プロセスに対して重要であるが,結晶及び不均一触媒のエピタキシャル成長を含めて,それは特に直接研究が困難である。ここでは,温度依存性電子ノックオン損傷を定量化することにより,自立単層グラフェン上の炭素吸着原子移動障壁を推定した。拡散吸着原子による空孔の速い治癒のために,損傷率は温度上昇とともに減少する。有限走査プローブを記述するモデルを用いて,300~1073Kで観測した損傷速度を分析することによって,(0.33±0.03)eVの障壁を見出した。【JST・京大機械翻訳】

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炭素とその化合物

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