エピグラフェンを用いた金属-半導体-金属検出器における高効率UV検出【JST・京大機械翻訳】

He Hans; Shetty Naveen; Kubatkin Sergey; Stadler Pascal; Lofwander Tomas; Fogelstrom Mikael; Miranda-Valenzuela Jose Carlos; Yakimova Rositsa; Bauch Thilo; Lara-Avila Samuel

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200545954811 整理番号：22P0298528

エピグラフェンを用いた金属-半導体-金属検出器における高効率UV検出【JST・京大機械翻訳】

Highly efficient UV detection in a metal-semiconductor-metal detector with epigraphene

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発行年： 2022年03月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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高温(T>1850{deg}C)で成長させたケイ素カーバイド(epiグラフェン上のエピタキシャルグラフェンは,優れた性能を有する太陽ブラインド紫外線(UV)検出器を実装するための材料として作用することを示した。反射損失を説明するとき,ほぼ100%の内部量子効率に対応する波長250-280nmに対して~85%のピーク外部量子効率を有するセンチメートルサイズのエピグラフェン金属-半導体-金属(MSM)検出器を示した。ゼロバイアス動作は非対称デバイスで可能であり,R=134mA/Wと高く残留するUVに対する応答性があり,これを自己出力検出器にした。低暗電流Io ̄50fAは,推定記録高比検出性D=3.5x10>15Jonesに翻訳した。材料再現性と共に示す性能は,多くの実用的応用に適したマルチピクセルUVセンサアレイを含む,低処理努力で高性能平面MSMデバイスを実装するために,エピグラフェンを技術的に魅力的にする。【JST・京大機械翻訳】

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測光と光検出器一般

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