抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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最近,フラクタル表面符号(FSCs)のクラスをHausdorff次元2+εのフラクタル格子上に構築し,フォールトトレラント非Clifford CCZゲートをアドミットした。フォールトトレラント量子メモリとしてそのようなFSCsの性能を研究した。著者らは,Hausdorff次元2+εを有するFSCsにおけるビットフリップと位相フリップエラーのための非ゼロ閾値による復号化戦略が存在することを証明した。ビットフリップ誤差に対して,フラクタル格子における穴の境界に関する適切な修正を設計することにより,通常の3D表面符号におけるストリング様症候群のために開発されたスイープ復号器を適応させた。FSCsに対するスイープ復号器の適応は,その自己補正と単一ショットの性質を維持する。位相フリップ誤差に対して,点状症候群に対する最小重み完全マッチング(MWPM)復号器を採用した。Hausdorff次元D_H≒2.966の特定のFSCに対するMWPM復号器に対して,スイープ復号器と符号容量閾値(2.95%)に対する現象論的雑音の下で,持続可能なフォールトトレラント閾値(Δ≦1.7%)を報告した。後者は,Hausdorff次元により調整可能であるフラクタル格子上の閉込め-Higgs遷移の臨界点の下限に写像できる。【JST・京大機械翻訳】