単層InSeにおける電荷密度波と超伝導相【JST・京大機械翻訳】

Alidoosti Mohammad; Esfahani Davoud Nasr; Asgari Reza

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202200819877223 整理番号：21P0038070

単層InSeにおける電荷密度波と超伝導相【JST・京大機械翻訳】

Charge density wave and superconducting phase in monolayer InSe

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発行年： 2020年07月01日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年01月08日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

本論文では,単層セレン化インジウムにおける可能な超伝導相の完全な研究を,正孔および電子ドーピング系の両方に対する第一原理計算を用いて決定した。Fermi面の正孔ドープ依存性は単層InSeに対して排他的に基本である。それは,正孔密度を増加させることによって,6つの分離ポケットから2つのポケットへのFermi面の広範な修正をもたらす。系の低正孔ドーピングレベルに対して,Lifshitz遷移点以下では,Coulombポテンシャルの0.2から0.1への変化量に依存する異方性Eliashberg理論内で超伝導臨界温度T_c>55-75Kを得た。しかし,Lifshitz転移点以上での幾つかの正孔ドーピングでは,裸の磁化率の温度依存性と強い電子-フォノン相互作用の組合せは,対応するT_cよりはるかに高い温度で現れる電荷密度波を生じさせる。非断熱効果を含めて,超伝導または電荷密度波相のいずれかが系で生じる条件を注意深く解析することができた。さらに,単分子層InSeは,室温で異なるキャリア濃度に対する非断熱効果を含めることにより,動的に安定になった。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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