単層IrTe_2における大ギャップ絶縁二量体基底状態【JST・京大機械翻訳】

Hwang Jinwoong; Kim Kyoo; Zhang Canxun; Zhu Tiancong; Herbig Charlotte; Kim Sooran; Kim Bongjae; Zhong Yong; Salah Mohamed; El-Desoky Mohamed M.; Hwang Choongyu; Shen Zhi-Xun; Crommie Michael F.; Mo Sung-Kwan

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201087561321 整理番号：22P0322990

単層IrTe_2における大ギャップ絶縁二量体基底状態【JST・京大機械翻訳】

Large-gap insulating dimer ground state in monolayer IrTe2

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資料名：
発行年： 2022年03月30日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月30日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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二次元van der Waals材料の単層は,対称性の破れによりバルクとは異なる新しい電子相を示し,層間結合の不在で遮蔽を減じた。本研究では,角度分解光電子放出分光法と走査トンネル顕微鏡/分光法を組み合わせて,この材料の金属二分子層対バルク型とは対照的に大きなバンドギャップを持つ単層1T-IrTe_2におけるユニークな絶縁2x1二量体基底状態の出現を実証した。第一原理計算は,フォノンと電荷不安定性ならびに局所結合形成が,電荷秩序基底状態を全体的に増強し,安定化することを明らかにした。著者らの知見は,強い層間結合の不在下で起こる類似のエネルギースケールを有する相互作用の微妙なバランスに重要な洞察を提供し,それは2D単分子層の性質をエンジニアする新しい機会を提供する。【JST・京大機械翻訳】

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電子分光スペクトル , 絶縁体結晶の電子構造

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