ハイブリッド半導体-超伝導体島における準粒子被毒の静電的制御【JST・京大機械翻訳】

Nguyen H. Q.; Sabonis D.; Razmadze D.; Mannila E. T.; Maisi V. F.; van Zanten D. M. T.; O'Farrell E. C. T.; Krogstrup P.; Kuemmeth F.; Pekola J. P.; Marcus C. M.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201156669237 整理番号：22P0288582

ハイブリッド半導体-超伝導体島における準粒子被毒の静電的制御【JST・京大機械翻訳】

Electrostatic control of quasiparticle poisoning in a hybrid semiconductor-superconductor island

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発行年： 2022年02月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月11日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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超伝導素子の性能は,被毒として知られるプロセスである準粒子の非制御外観と消失によってしばしば劣化する。InAs/Alハイブリッドナノワイヤ中のCoulomb島上の固定障壁を横切る単一電荷トンネリングの形での準粒子被毒の静電制御を実証した。高帯域幅電荷センシングを用いて,Coulombブロッキングピークを横切る島の電荷占有をモニタし,トンネル速度が最大で,トンネルが欠如しているCoulomb谷であった。静電ゲートは,固定正常状態抵抗を有する障壁に対して2桁の大きさでピークトンネル速度を変化させ,これは,島上の誘起超伝導ギャップのサイズと柔軟性のゲート依存性に起因し,分離状態密度測定によって裏付けられた。トンネル速度の温度と磁場依存性も調べた。【JST・京大機械翻訳】

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トランジスタ , Josephson接合・素子 , 超伝導体の物性一般

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