Van der Waalsヘテロ接合における電荷可能な光伝導【JST・京大機械翻訳】

Jiang Yucheng; He Anpeng; Chen Yu; Liu Guozhen; Lu Hao; Zhao Run; Long Mingshen; Gao Ju; Wu Quanying; Ge Xiaotian; Ning Jiqiang; Hu Weida

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201242019709 整理番号：22P0100543

Van der Waalsヘテロ接合における電荷可能な光伝導【JST・京大機械翻訳】

Chargeable photoconductivity in Van der Waals heterojunctions

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発行年： 2020年01月14日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年01月14日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

二次元(2D)材料に基づくVan der Waals(vdW)ヘテロ接合は,環境に優しい高効率ナノデバイスの開発に大きな可能性を示す。かなりの研究が行われ,光起電力電池,光検出器などの貴重な応用が報告されているが,単一デバイスにおける同時エネルギー変換と貯蔵は達成されていない。ここでは,WSe_2層と準2D電子ガスの間のvdW p-n接合を構築するための簡単な戦略を示した。1回の光照射の後,デバイスは光発生電子と正孔を7日間貯蔵し,次に,暗に印加されたバイアス電圧で2.9mAの非常に大きな光電流を放出する。これは,以前に観測された光電現象と完全に異なる充電可能な光伝導(CPC)と呼ばれる。正常光伝導では,電子-正孔対の再結合が寿命の終わりで発生し,熱の放出を引き起こす。対照的に,無限寿命光キャリアは,熱損失なしにCPCデバイスで発生できる。光電変換と貯蔵は充電過程で完全に自己励起される。臨界温度以下の全および空のエネルギー状態の電流間の比は,光充電中に44100.00%の外部量子効率で,109の高さに達した。この効果の機構を説明するために開発した理論モデルは実験データと良く一致した。本研究は,貯蔵型光伝導体と高効率エントロピー低減デバイスへの道を開いた。【JST・京大機械翻訳】

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ダイオード , 光伝導,光起電力 , 測光と光検出器一般 , 固-固界面

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