超伝導体に接続した遷移金属ジカルコゲナイドとCrI_3のねじれヘテロ構造における電気的および熱輸送【JST・京大機械翻訳】

Majidi Leyla; Asgari Reza

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201588792625 整理番号：22P0277733

超伝導体に接続した遷移金属ジカルコゲナイドとCrI_3のねじれヘテロ構造における電気的および熱輸送【JST・京大機械翻訳】

Electrical and thermal transport in a twisted heterostructure of transition metal dichalcogenide and CrI$_3$ connected to a superconductor

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (2件)： ,
資料名：
発行年： 2022年01月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年07月07日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)とヨウ化クロム(CrI_3)ヘテロ構造間の近接交換効果の広い同調性は,二次元磁気電気におけるTMDCの使用に対する興味深い可能性を提供する。本研究では,TMDC/CrI_3接合における電気及び熱輸送に及ぼすねじれ角及びゲート電場の影響をDirac-Bogoliubov-de Gennes方程式を用いて調べた。スピン-軌道相互作用によるバンド構造のスピン分裂によって顕著な量を制御することができ,バンドの交換分裂が近接効果から生じることを示した。Andreev反射(AR)プロセスの特性はスピン-軌道結合によるスピン谷偏光状態に大きく依存した。注目すべきことに,完全なスピン谷偏光ARは,局所Fermiエネルギーを調整し,電荷ドーピングのタイプを変えるためにゲート電圧を用いて広いバイアス範囲にわたって可能である。p型ドーピングによる提案構造は,より大きなスピン谷偏光Andreevコンダクタンスと高い熱伝導率を有することが分かった。さらに,TMDC材料およびTMDC/CrI_3層の化学ポテンシャルに依存して,ねじれは,超伝導領域よりも小さな化学ポテンシャルに対する熱コンダクタンスの増強と同様に,Andreevコンダクタンスの抑制または著しい増加につながることを示した。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,
, , 【Automatic Indexing@JST】

半導体結晶の電子構造 , その他の半導体を含む系の接触 , 原子の電子構造

, , ,

前のページに戻る