PdSe_2ベース電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Nandan Keshari; Agarwal Amit; Bhowmick Somnath; Chauhan Yogesh S.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201639148432 整理番号：22P0025730

PdSe_2ベース電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

PdSe2 based field-effect transistors

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発行年： 2022年01月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2023年04月30日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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五角形PdSe_2は,その高い空気安定性および異方性輸送特性のため,層状電子デバイスのための有望な候補である。ここでは,密度汎関数理論と量子輸送を組み合わせたマルチスケールシミュレーションフレームワークを用いて,PdSe_2単層に基づくp型FETの性能を研究した。単層PdSe_2デバイスは,[010]と[100]方向に沿って整列したソース-ドレイン方向に対して,優れたスイッチング特性(<65mV/decade)を示すことを見出した。また,両方向は15nmチャネルデバイスに対して[010]方向に沿って大きいが,良好なオン状態電流と大きな相互コンダクタンスを示した。これらのp-FETのチャネル長スケーリング研究は,チャネル長が,性能において,いかなる重要な妥協も無く,7nmまで容易に縮小できることを示した。7nm以下では,4nmチャネル長のサブ閾値スイングに厳しい劣化があることを見出した。しかし,この劣化はアンダーラップ構造の導入によって最小化できる。アンダーラップの長さはオン状態電流とスイッチング性能の間のトレードオフによって決定される。【JST・京大機械翻訳】

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