多重界面自由層を有する垂直磁気トンネル接合【JST・京大機械翻訳】

Khanal Pravin; Zhou Bowei; Andrade Magda; Dang Yanliu; Davydov Albert; Habiboglu Ali; Saidian Jonah; Laurie Adam; Wang Jian-Ping; Gopman Daniel B; Wang Weigang

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201801792251 整理番号：22P0026035

多重界面自由層を有する垂直磁気トンネル接合【JST・京大機械翻訳】

Perpendicular magnetic tunnel junctions with multi-interface free layer

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著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
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発行年： 2022年01月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月11日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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将来の世代の磁気ランダムアクセスメモリ要求磁気トンネル接合は,同時に高い磁気抵抗,強い保持,低いスイッチングエネルギーおよび10nm以下の小さなセルサイズを提供できる。ここでは,多重強磁性体/非磁性界面が熱安定性に寄与する複合自由層を有する垂直磁気トンネル接合を研究した。異なる非磁性材料(MgO,Ta,Mo)をこれらの多重界面自由層の結合層として用いた。異なるアニーリング条件下での接合特性の変化を調べた。最初のCoFeB層の厚さに対するトンネル磁気抵抗の強い依存性を観測した。MoとMgOを結合層として用いる接合では,400{deg}Cアニーリング後に200%以上の大きなトンネル磁気抵抗が達成された。【JST・京大機械翻訳】

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金属-絶縁体-金属構造 , 磁電デバイス , その他の接合

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