抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ここでは,チタン炭化ケイ素(Ti_3SiC_2)MAXからのシリコンの選択的エッチングによる二次元Ti_3C_2T_xMXeneの最初の成功した剥離を報告する。MXeneのエッチングと剥離の成功を,材料構造を詳細に調べるために,X線回折技術で決定したように,c-格子パラメータの増加とともに,全(00l)ピークのより低い角度へのシフトを通して確認した。多層MXeneのc-格子定数は19.34{AA}であり,層間剥離過程後に26.22{AA}に増加し,MXeneシート内のTMA ̄+イオンの良好なインターカレーションを示した。走査電子顕微鏡(SEM)画像は2D層状構造の形成を示した。エッチングしたMXene試料の磁気測定を超伝導量子干渉素子(SQUID:量子設計)を用いて測定した。磁化対磁性(M-H)曲線は,MXene構造中に存在する炭化けい素(SiC)の存在による小さな反磁性相の存在と共に,低温および室温での強磁性支配ヒステリシスループを明確に示す。SiC相の存在は,2D MXene構造内のSiCの鋭いピークと振動モードを示すXRDとRamanスペクトルにより確認された。本研究は,強磁性相と反磁性相の共存を示し,将来のスピントロニクスデバイスに適した2D材料となった。【JST・京大機械翻訳】