半導体方程式に対する逆問題について【JST・京大機械翻訳】

Burger M.; Engl H. W.; Leitao A.; Markowich P. A.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201836077032 整理番号：22P0211899

半導体方程式に対する逆問題について【JST・京大機械翻訳】

On inverse problems for semiconductor equations

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発行年： 2020年11月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年11月23日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

本論文は,静止ドリフト-拡散方程式モデリング半導体デバイスに関連した逆問題の調査に専念した。この文脈において,再構成すべきパラメータがPDEモデル(ドーピングプロファイル)の不均一性である,異なるタイプの測定に対応するいくつかの同定問題を解析した。特定のタイプの測定(電圧-電流マップに関連する)に対して,ドリフト-拡散方程式の特殊ケースを考察し,そこでは,逆問題は古典的逆伝導率問題に縮小する。これらの特殊な状況(線形化単極ケース)の1つについて数値実験を示した。【JST・京大機械翻訳】

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ダイオード , トランジスタ

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