BaSnO_3膜のν_μ2ν_2R_45°表面再構成と電子構造【JST・京大機械翻訳】

Soltani Shoresh; Hong Sungyun; Kim Bongju; Kim Donghan; Jun Jong Keun; Sohn Byungmin; Noh Tae Won; Char Kookrin; Kim Changyoung

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201910047922 整理番号：22P0090446

BaSnO_3膜のν_μ2ν_2R_45°表面再構成と電子構造【JST・京大機械翻訳】

$\sqrt{2}$$\times$$\sqrt{2}R45^\circ$ surface reconstruction and electronic structure of BaSnO$_3$ film

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発行年： 2019年12月02日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年03月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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低エネルギー電子回折(LEED)と角度分解光電子放出分光法(ARPES)法により,スズ酸バリウム(BaSnO_3)薄膜の表面と電子構造を研究した。BaSnO_3/Ba_0.96La_0.04SnO_3/SrTiO_3(10nm/100nm/0.5mm)試料をパルスレーザ蒸着(PLD)法を用いて成長させ,PLDチャンバから超高真空(UHV)チャンバまでアニール,LEEDおよびARPES研究用にex situ転写した。300°Cから550°CまでのUHVアニーリングとそれに続くLEEDおよびARPES測定は,非分散エネルギー-運動量バンドを有する1×1表面を示した。1×1面は700°Cのアニーリング温度で√2×√2R45°に再構成し,そこではARPESデータはFermi準位以下で約3.3eVの価電子帯極大を持つ明確な分散バンドを示した。√2×√2R45°表面再構成は,更なるUHVアニーリング下で安定であるが,600°Cで400mTorrの酸素中で試料をアニールすることによって,1×1表面に反転する。LEEDおよびARPES測定に続く600°Cでの別のUHVアニーリングは,LEED √2 > 2R45°表面再構成およびARPES分散バンドが再現されることを示した。著者らの結果は,BaSnO_3表面の電子構造のより良い描像を提供し,可逆的√2→2R45°表面再構成における酸素空孔の役割を示唆する。【JST・京大機械翻訳】

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電子分光スペクトル , 金属結晶の電子構造 , 半導体の表面構造

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