Bitonal誘電体共振器によるマイクロ波測定からのFe(Se,Te)薄膜のピン止め,磁束フロー抵抗率および異方性【JST・京大機械翻訳】

Pompeo Nicola; Alimenti Andrea; Torokhtii Kostiantyn; Sylva Giulia; Braccini Valeria; Silva Enrico

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201915630472 整理番号：22P0213187

Bitonal誘電体共振器によるマイクロ波測定からのFe(Se,Te)薄膜のピン止め,磁束フロー抵抗率および異方性【JST・京大機械翻訳】

Pinning, flux flow resistivity and anisotropy of Fe(Se,Te) thin films from microwave measurements through a bitonal dielectric resonator

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発行年： 2020年11月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年11月27日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

CaF_2基板上に成長したfst薄膜の渦運動表面インピーダンスの異方性について報告する。試料c軸に平行および垂直の1.2Tおよび方向までの磁場強度への依存性を,ビットオン誘電体共振器を用いて,2つの異なる周波数,λ≧16GHzおよびΔλ27GHzで固定温度で調べた。自由フラックス流動抵抗ρ_ffは,高周波数動力学に対する標準モデルを利用して得られ,一方,角度依存性を,異方性超伝導体に対するよく知られた広く使用されたBlatter-Geshkenbein-Larkin(BGL)スケーリング理論の枠組みにおいて研究した。フラックス流動抵抗によるスケーリング則処方との優れた一致を得た。スケーリング解析から,低磁場質量異方性Δσ_1.8が得られ,文献に報告されている値範囲内で良好であった。ピン止め定数の角度依存性は,ピン止めが臨界電流密度測定と一貫してランダム,等方性点ピンにより支配されることを示唆した。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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