変調障壁を横切る電子の量子力学的トンネリングに対する非平衡ゆらぎ関係の探索【JST・京大機械翻訳】

Sivananda Dibya J.; Roy Nirmal; Mahato P. C.; Banerjee S. S.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201939913955 整理番号：22P0110352

変調障壁を横切る電子の量子力学的トンネリングに対する非平衡ゆらぎ関係の探索【JST・京大機械翻訳】

Exploring the non-equilibrium fluctuation relation for quantum mechanical tunneling of electrons across a modulating barrier

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発行年： 2020年02月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年05月27日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

STMチップと振動圧電表面上に堆積したAu膜の間に形成される変調トンネル障壁を横切る電子トンネル現象を実験的に調べた。変調障壁を横切る量子力学トンネル電流の時系列の測定は大きな変動を示した。有限時間間隔におけるトンネル電流の確立において行われた平均仕事の解析は,正と負の仕事事象の両方の分布を示す。負の仕事事象はバイアス電圧方向に対するトンネリングを示唆する。これらの分布は,散逸環境を通して駆動されるシステムに対して有効なGallavotti Cohen非平衡ゆらぎ関係(GC-NEFR)に従うことを示した。典型的には,GC-NEFRは非平衡古典的系に対して示されているが,量子力学トンネルプロセスに対する妥当性も示す。GC-NEFR分析はまた,この量子トンネルシステムに存在する散逸を測定する方法を与える。変調障壁はトンネリング電子に対する損失散乱媒質のように挙動し,トンネル過程のランダム化傾向をもたらす。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

電子輸送の一般理論 , 界面の電気的性質一般

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