ENZ材料における誘電率に対する複素解析的依存性:フォトニックドーピング例【JST・京大機械翻訳】

Kohn Robert V.; Venkatraman Raghavendra

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201940030374 整理番号：22P0305561

ENZ材料における誘電率に対する複素解析的依存性:フォトニックドーピング例【JST・京大機械翻訳】

Complex Analytic Dependence on the Dielectric Permittivity in ENZ Materials: The Photonic Doping Example

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発行年： 2022年03月16日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年09月19日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

「π-近-ゼロ」(ENZ)マトリーから作成した散乱体の「フォトニックドーピング」に関する物理学文献によって動機づけられて,著者らは,円筒ENZ領域ΔΔRによる時間調和TM電磁波の散乱が,誘電体誘電率がゼロに近い「ドーパント」D→πの存在によってどのように影響を受けるかを考察した。数学的に,これは,2D Helmholtz方程式div(a(x)||u)+k ̄2u=fを区分的定数,複素値係数a,ΔDでほぼ無限(Δλ_0でa=1/δ)で解析することに,この減少を減じる。”D.Helmholtz D.D.は2D Helmholtz方程式div(a(x)_u)+k ̄2u=fの解析に縮小する。解uが0近傍のδに解析的に依存することを示し,そのTaylor展開における項の簡単なPDE特性化を与えた。フォトニックドーピングへの応用のために,それは最も興味深いδにおける一次補正であり,それらは,なぜフォトニックドーピングが損失の存在によってわずかに影響を受けるかを説明し,誘電率が単に小さい周波数においてさえ見られる理由を説明する。等しく重要である:我々の結果は,ENZ領域における一次電場のPDEキャラクタリゼーションを含むが,フォトニックドーピングに関する既存の文献は,一次磁場のみを提供する。【JST・京大機械翻訳】

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, 【Automatic Indexing@JST】

分子の電子構造 , 光の散乱,回折,干渉

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