量子デバイスのための室温ドナー取り込み:ゲルマニウム上のアルシン【JST・京大機械翻訳】

Hofmann Emily V. S.; Stock Taylor J. Z.; Warschkow Oliver; Conybeare Rebecca; Curson Neil J.; Schofield Steven R.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202201997745434 整理番号：22P0305419

量子デバイスのための室温ドナー取り込み:ゲルマニウム上のアルシン【JST・京大機械翻訳】

Room temperature donor incorporation for quantum devices: arsine on germanium

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発行年： 2022年03月16日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月16日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ゲルマニウムはスピントロニクスと量子情報応用の例外的に有望な材料として出現し,シリコンよりも基本的な利点を有する。しかし,量子ビットとしてドナー原子を用いて原子スケールデバイスを作製する努力は,シリコン中のリンに多く焦点を絞った。原子スケール精度を有するシリコン中のリンの位置決めは,熱取り込みアニールを必要とするが,このステップに対する低い成功率は,大規模デバイスへのスケールアップを禁止する基本的限界であることが示されている。ここでは,ゲルマニウム(001)表面上のアルシン(AsH_3)の包括的な研究を示した。シリコンまたはゲルマニウム上の以前に研究されたドーパント前駆体と異なり,ヒ素原子は室温で置換表面格子サイトに完全に取り込まれることを示した。著者らの結果は,ゲルマニウムの優れた電子特性を組み合わせた原子スケールのドナーデバイスの次世代の方法を,多数の決定論的に置換された量子ビットのスケールアップを約束する,アルシン/ゲルマニウム化学の向上した特性と結びつける。【JST・京大機械翻訳】

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半導体の格子欠陥

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