二次元β-In_2Se_3光検出器のウエハスケール作製【JST・京大機械翻訳】

Claro Marcel S.; Grzonka Justyna; Nicoara Nicoleta; Ferreira Paulo J.; Sadewasser Sascha

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202124346270 整理番号：22P0150140

二次元β-In_2Se_3光検出器のウエハスケール作製【JST・京大機械翻訳】

Wafer-scale fabrication of two-dimensional beta-In2Se3 photodetectors

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発行年： 2020年05月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年11月30日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

二次元(2D)β-In_2Se_3材料のエピタキシャル成長を,分子線エピタキシー(MBE)を用いて2インチc-サファイアウエハ上に得た。x線回折(XRD),Raman分光法および収差補正走査透過電子顕微鏡(ac-STEM)によって,2つの五重層(2nm)まで,厚い(90nm)および非常に薄い膜の優れた品質を確認した。5つの五重層に基づく光検出器のウエハスケール製作をフォトリソグラフィーと他の標準半導体処理法を用いて作製した。光検出器は3mA/Wの応答性,10 ̄9Jonesのピーク比検出性(D ̄*),550nmで0.67%の外部量子効率(EQE),及び ̄7msの応答時間を示し,これは以前にβ-In_2Se_3光検出器で報告された結果よりも速かった。光電流測定から,1.38eVの光学バンドギャップを観測した。2D In_2Se_3のウエハスケール堆積および光電子デバイスへのその作製に関するこれらの結果は,2D材料の商業化を可能にする欠測リンクを提供する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜

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