MOVPEにより成長させた単純なnp-nトンネル接合ベースLEDの限界【JST・京大機械翻訳】

Robin Yoann; Bournet Quentin; Avit Geoffrey; Pristovsek Markus; Andre Yamina; Trassoudaine Agnes; Amano Hiroshi

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202182413204 整理番号：22P0099559

MOVPEにより成長させた単純なnp-nトンネル接合ベースLEDの限界【JST・京大機械翻訳】

Limitation of simple np-n tunnel junction based LEDs grown by MOVPE

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発行年： 2020年01月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年01月10日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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金属-有機気相エピタキシーによって成長したGaNにおけるトンネル接合(TJs)がトラップ支援(Poole-Frenkel)トンネリングによって支配されている証拠を示した。これはTJの注意深い最適化ドーピングの観測に由来する。特に,p ̄++とn ̄++層は理想から遠い。n ̄++層は3D成長を誘起し,二次イオン質量分析(SIMS)における酸素信号の上昇により見られる。さらに,SIMSで観察したMg偏析は10nm以上の空乏領域を示した。それでも,InGaN中間層を使用せずに,20mAで1.1Vの低いペナルティ電圧と約10 ̄-2Ω.cm ̄2の比微分抵抗を持つTJベースLEDを実現できる。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

発光素子 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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