銅酸化物超伝導体におけるLondon侵入深さに対するCoulomb斥力の効果【JST・京大機械翻訳】

Komarov K K; Dzebisashvili D M

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202249787708 整理番号：22P0092039

銅酸化物超伝導体におけるLondon侵入深さに対するCoulomb斥力の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Coulomb repulsion on the London penetration depth in cuprate superconductors

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発行年： 2019年12月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年04月02日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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銅酸化物超伝導体におけるFermi準粒子のスピンポーラロンの性質の概念に基づいて,ロンドン侵入深さλに及ぼす酸素正孔間のCoulomb反発の影響を研究した。スピンフェルミオンモデルのパラメータの一般に受け入れられる値に対して,Coulomb相互作用を考慮して,1サイト四角形U_pと,次の最近接酸素イオンV_2上の正孔間の相互作用の両方が,最適ドーピングのまわりで,La_2-xSr_xCuO_4の実験データによる値λ ̄-2の計算された温度依存性の非常に良好な一致を達成することを示した。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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