二次元半導体における誘電不均一性への暗励起子駆動エネルギー漏斗【JST・京大機械翻訳】

Su Haowen; Xu Ding; Cheng Shan-Wen; Li Baichang; Liu Song; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Berkelbach Timothy C.; Hone James; Delor Milan

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202477160642 整理番号：22P0287104

二次元半導体における誘電不均一性への暗励起子駆動エネルギー漏斗【JST・京大機械翻訳】

Dark-exciton driven energy funneling into dielectric inhomogeneities in two-dimensional semiconductors

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発行年： 2022年02月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

二次元遷移金属ジカルコゲン化物半導体(2D TMD)のオプトエレクトロニックおよび輸送特性は,外部摂動に非常に影響を受けやすく,合成後修飾による材料機能の正確な調整を可能にする。ここでは,ナノバブルとして知られるナノスケール不均一性が,二層二硫化タングステン(WSe_2)における励起子輸送の歪およびより侵襲性の低い誘電同調の両方に使用できることを示した。励起子輸送を直接画像化するために超高感度時空間分解光散乱顕微鏡を用い,誘電ナノバブルが,明るい励起子のエネルギーが無視できるほど,室温で,漏斗とトラッピング励起子で驚くほど効率的であることを明らかにした。著者らの観察は,誘電不均一性における励起子漏斗が,エネルギーが明るい励起子より誘電摂動に敏感である運動量間接(暗)励起子によって駆動されることを示唆する。これらの結果は,暗状態エネルギー景観の誘電工学を用いて,例外的な空間およびエネルギー精度を有する2D半導体における励起子輸送を制御する新しい経路を明らかにした。【JST・京大機械翻訳】

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励起子 , 半導体のルミネセンス

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