グラフェンにおけるヘテロ原子Pt-Si構造のElectronビーム導入【JST・京大機械翻訳】

Dyck Ondrej; Zhang Cheng; Rack Philip D.; Fowlkes Jason D.; Sumpter Bobby; Lupini Andrew R.; Kalinin Sergei V.; Jesse Stephen

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202645936880 整理番号：22P0305879

グラフェンにおけるヘテロ原子Pt-Si構造のElectronビーム導入【JST・京大機械翻訳】

Electron-beam Introduction of Heteroatomic Pt-Si Structures in Graphene

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発行年： 2022年03月17日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

収差補正走査透過電子顕微鏡における単一ドーパント原子のElectronビーム(e-ビーム)操作は,指向性原子運動および原子-原子集合のための方法として浮上している。現在まで,ドーパント種はイオン半径に関して炭素に密接に整合した原子に制限され,グラフェン格子中の炭素原子との強い共有結合が可能である。グラフェン格子へのin situドーパント挿入は,この材料の汚染物質として遍在するSiに対してのみ実証されてきた。ここでは,ホストシステムとしてグラフェン上に電子ビーム蒸着Ptを用いて,Pt原子のin situ操作とグラフェンホストマトリックスへのそれらの挿入を達成した。さらに,グラフェン表面に付着したSi安定化Ptヘテロ原子クラスタの形成を通して,Pt原子の安定化の機構を実証した。本研究は電子ビームアセンブリアプローチの普遍性に対する証拠を提供し,直接集合によるクラスタ化学を探索するための経路を開く。【JST・京大機械翻訳】

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貴金属触媒 , 炭素とその化合物

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