オプト-およびエレクトロ-メカニックスによりプローブしたメムリスティブ懸垂MoS_2単分子層における相転移【JST・京大機械翻訳】

Chaste Julien; Hnid Imen; Khalil Lama; Si Chen; Durnez Alan; Lafosse Xavier; Zhao Meng-Qiang; Johnson A. T. Charlie; Zhang Shengbai; Bang Junhyeok; Ouerghi Abdelkarim

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202784007592 整理番号：22P0211881

オプト-およびエレクトロ-メカニックスによりプローブしたメムリスティブ懸垂MoS_2単分子層における相転移【JST・京大機械翻訳】

Phase Transition in a Memristive Suspended MoS2 Monolayer Probed by Opto- and Electro-Mechanics

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発行年： 2020年11月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年11月23日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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2D材料の半導体単層は複数の興味深い特性を単一成分に連結できる。ここでは,オプトメカニカルおよび電子測定を組み合わせて,MoS_2の懸濁2D単層膜における部分的2H-1T相転移の存在を実証した。電子輸送は,外部ドーパントが存在しない場合,MoS_2膜において予想外のメムリスティブ特性を示した。膜の強い機械的軟化を同時に測定し,半導体2Hに関してトポロジー1T相の3パーセント方向伸びを課す相2H-1T相転移に関連するだけであった。測定可能なメムリスティブ効果を観察するためには,ほんの数パーセントの2H-1T位相スイッチングが十分であると注目する。第一原理全エネルギー計算と組み合わせた著者らの実験結果は,硫黄空孔拡散が相転移の初期核形成に重要な役割を果たすことを示した。本研究は,ナノメカニクスが2D材料または薄膜における結晶相遷移をプローブする超高感度技術を表すことを明瞭に示した。最後に,MoS_2における観察されたメムリスティブ効果の原因となる微視的機構のより良い制御は,将来のデバイスの実装にとって重要である。【JST・京大機械翻訳】

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半導体集積回路

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