ニューロモルフィック計算のためのYフラッシュメムリスタの物理的ベースコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

Wang Wei; Danial Loai; Herbelin Eric; Hoffer Barak; Oved Batel; Greenberg-Toledo Tzofnat; Pikhay Evgeny; Roizin Yakov; Kvatinsky Shahar

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202917577923 整理番号：22P0292840

ニューロモルフィック計算のためのYフラッシュメムリスタの物理的ベースコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

Physical based compact model of Y-Flash memristor for neuromorphic computation

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発行年： 2022年02月16日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月16日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

Y-Flashメモリスタは,単一ポリシリコン浮遊ゲート非揮発性メモリ(NVM)の成熟技術を利用する。それは,他の新興メムリスタデバイス,すなわち,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM),位相変化メモリ(PCM)などに類似の2端子構成で操作でき,生産相補型金属-オキシド-半導体(CMOS)技術において製作され,Y-Flashメムリスタは,高い神経形態製品収率に反映される優れた再現性を可能にする。サブスレッショルド領域の作動により,このデバイスはアナログ様式で多数の微調整中間状態に対してプログラムでき,低読出し電流(1nA~5μA)を可能にした。しかし,現在,このタイプのメムリスタデバイスにおける動的スイッチングを記述し,複数の操作構成を説明する正確なモデルは存在しない。本論文では,DCとACの両領域においてY-Flashメムリスタ性能を記述する物理ベースコンパクトモデルを提供し,動的プログラムと消去操作を一貫して記述した。モデルを商用回路設計ツールに統合し,神経形態計算に関連した応用に使用できる。【JST・京大機械翻訳】

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半導体集積回路

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