ドープした高不整合合金の吸収スペクトル【JST・京大機械翻訳】

Allami Hassan; Krich Jacob J.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202202991301859 整理番号：22P0312178

ドープした高不整合合金の吸収スペクトル【JST・京大機械翻訳】

Absorption spectrum of doped highly mismatched alloys

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発行年： 2022年03月29日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月29日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高不整合合金(HMA)は,合金元素間の大きな電気陰性度差を有する半導体合金のクラスである。伝導バンド反交差を持つドープ高ミスマッチ合金の分裂バンド間の遷移による吸収スペクトルを予測した。分裂バンド間の直接および間接遷移の両方に対する状態の結合密度を解析した。得られたスペクトルは,HMAsの特性である異常な状態分布を明らかにする特徴を持ち,従って,それらの電子構造への貴重な洞察を提供する。特に,大きな運動量における直接遷移の抑制により生ずる吸収端近傍のピークを予測した。近吸収端と大エネルギースペクトルに対する解析的形式を示し,それらが標準放物半導体におけるものと定性的に異なることを示した。特に,直接遷移の抑制の結果として,間接遷移が吸収のエッジから離れたスペクトルを支配する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造

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