Biドープn型Siにおけるスピンポンプ誘起逆スピンHall効果の研究【JST・京大機械翻訳】

Ezhevskii A. A.; Guseinov D. V.; Soukhorukov A. V.; Novikov A. V.; Yurasov D. V.; Gusev N. S.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203010108210 整理番号：22P0114009

Biドープn型Siにおけるスピンポンプ誘起逆スピンHall効果の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of the spin-pump-induced inverse spin-Hall effect in Bi doped n-type Si

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発行年： 2020年02月20日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年02月20日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

n型シリコンにおける逆スピンHall効果(ISHE)を,伝導電子をビスマスのスピン-軌道ポテンシャルに散乱したとき,実験的に観察した。シリコン層のスピン電流は,蛍光体とビスマスでドープしたSi層上に堆積された薄いパーマロイ(Py)層における強磁性共鳴中の磁化歳差の励起によって発生した。[011]または[100]結晶軸に沿って整列した異なるPy/n-Si:Bi構造に対するdc電圧の角度依存性から,平面Hall効果(PHE)とISHE寄与を区別できた。ISHE dc電圧信号は,[011]結晶軸に配列された構造に対して,そして[100]方向に対してsin≡cos_2→π ̄*に対して,sin≡sin ̄2→π ̄*生成物に比例した。さらに,PHE dc電圧は,sin ̄2π ̄*依存性に対応する角度に対して観測された。それは,多くの谷半導体としてのシリコンに対して,n型材料における浅いドナーによって誘起されるスピン-軌道ポテンシャルによるスピンの散乱は,磁場の方向に対する谷軸の配向に依存することを意味する。【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の電子伝導 , 金属結晶の磁性 , 半導体薄膜 , 強磁性共鳴,反強磁性共鳴,フェリ磁性共鳴

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