不純物が低濃度の導電性ストリップにおける電子の散乱における非Born効果【JST・京大機械翻訳】

Peshcherenko N. S.; Ioselevich A. S.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203034007015 整理番号：22P0169869

不純物が低濃度の導電性ストリップにおける電子の散乱における非Born効果【JST・京大機械翻訳】

Non-Born effects in scattering of electrons in a conducting strip with low concentration of impurities

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (2件)： ,
資料名：
発行年： 2020年07月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年07月11日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

クリーン導電性チューブの抵抗率ρにおける非Born効果の理論を拡張し,2D導体におけるρ依存性におけるρの依存性における元のVan Hove特異性も,不純物の散乱の振幅がそれらの位置に依存するので,これらのピークが不均一に広がるので,不純物を誘引する2つのピークで非対称的に分裂した。強い広がりは,準定常レベルでの散乱により,不純物を誘引するために,左ピークで生じる。チューブの場合とは対照的に,これらの準位は独特の鋭い線ではなく,ρ(ε)のより低いエッジ上の弱い準Van Hove特徴を有する比較的広い不純物バンドは,不純物の異なるグループによって支配された:最も効果的な散乱体,逆説的には,電子波動関数のノードに近い,最も有効な散乱体,逆説的には,電子波動関数のノード近くに位置し,従って,裸の散乱行列要素が抑制された。左最大における準Van Hove特徴は,アンチノード近くに位置する最強の不純物によって支配された。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , ,
, , , 【Automatic Indexing@JST】

ポーラロン,電子-フォノン相互作用

, , , , ,

前のページに戻る