In_2Se_3単分子層における強誘電スイッチと2D分子マルチフェロイックによる可逆的ガスセンシング【JST・京大機械翻訳】

Tang Xiao; Shang Jing; Gu Yuantong; Du Aijun; Kou Liangzhi

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203185261762 整理番号：22P0090592

In_2Se_3単分子層における強誘電スイッチと2D分子マルチフェロイックによる可逆的ガスセンシング【JST・京大機械翻訳】

Reversible Gas Sensing by Ferroelectric Switch and 2D Molecule Multiferroics in In2Se3 Monolayer

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発行年： 2019年12月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2019年12月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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二次元強誘電体は不揮発性メモリに新しい応用を見出している重要な量子材料であるが,化学反応と環境との相互作用に及ぼす可逆的分極の影響はその重要性にもかかわらずほとんど研究されていない。ここでは,第一原理計算に基づいて,強誘電性In_2Se_3層の表面および強誘電スイッチによって制御された可逆ガスキャップおよび放出に対する明確なガス吸着挙動を見出した。著者らは,気体のフロンティア分子軌道と基板のバンド端状態のバンド配列によって誘起される異なる静電ポテンシャルと電子移動の相乗効果に対する新規現象を合理化した。励起すると,NOおよびNO_2のような常磁性ガス分子の吸着は表面磁性を誘起し,In_2Se_3の強誘電分極方向にも敏感であり,閾値磁気センサまたはスイッチとしてのIn_2Se_3の応用を示した。さらに,2つのNO分子は互いに強磁性的にカップルし,Curie温度は50Kに達する分極依存性であり,長い2D分子マルチフェロイックをもたらす。強誘電性制御可能な吸着挙動および分子マルチフェロイック特性は,ガスキャプション,選択的触媒還元およびスピントロニクスデバイスにおける広範な応用を見出すであろう。【JST・京大機械翻訳】

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無機化合物一般及び元素 , 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造

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