走査型X線回折顕微鏡法による部分的に緩和したIn_xGa_1-xN層における全歪テンソル,回転および組成のナノスケールマッピング【JST・京大機械翻訳】

Richter Carsten; Kaganer Vladimir M.; Even Armelle; Dussaigne Amelie; Ferret Pierre; Barbier Frederic; Vaillant Yves-Matthieu Le; Schuelli Tobias U.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203292891310 整理番号：22P0311469

走査型X線回折顕微鏡法による部分的に緩和したIn_xGa_1-xN層における全歪テンソル,回転および組成のナノスケールマッピング【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale mapping of the full strain tensor, rotation and composition in partially relaxed In$_x$Ga$_{1-x}$N layers by scanning X-ray diffraction microscopy

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発行年： 2022年03月28日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

歪と組成は,材料の電子と光学特性を調整する手段であり,従って新しいデバイスを開発するので,半導体物理学において基本的役割を果たす。今日,特に強い応力を受ける歪加工デバイスで特に重要である非破壊的方法で,エピタキシャル系の歪を測定するのは,まだ課題である。本研究では,走査X線回折顕微鏡による歪と格子配向の完全なテンソルの微視的マッピングを示した。一組の走査回折測定から歪と方位のすべての成分を抽出するための形式を開発し,歪緩和とインジウム取込み現象を研究するためにパターン化In_xGa_1-xN二重層にこの技術を適用した。インジウム含有量と貫通転位の変化による寄与を分離し,解析した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

X線回折法 , 半導体薄膜 , その他の無機化合物の薄膜 , 塩

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