テルルナノワイヤにおけるゲート調節可能およびキラリティ依存電荷対スピン変換【JST・京大機械翻訳】

Calavalle Francesco; Suarez-Rodriguez Manuel; Martin-Garcia Beatriz; Johansson Annika; Vaz Diogo C.; Yang Haozhe; Maznichenko Igor V.; Mateo-Alonso Sergey Ostanin Aurelio; Chuvilin Andrey; Mertig Ingrid; Gobbi Marco; Casanova Felix; Hueso Luis E.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203310700285 整理番号：22P0022596

テルルナノワイヤにおけるゲート調節可能およびキラリティ依存電荷対スピン変換【JST・京大機械翻訳】

Gate-tuneable and chirality-dependent charge-to-spin conversion in Tellurium nanowires

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発行年： 2022年01月02日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月02日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

キラル材料は,対称性,相対論的効果,および電子輸送の間の関係を探索するための理想的な遊び地である。例えば,キラル有機分子は,過去10年間,スピン分極電流を電気的に生成するために集中的に研究されているが,それらの貧弱な電子伝導率は,それらの応用に対する可能性を制限する。逆に,Telluriumのようなキラル無機材料は優れた電気輸送材料であるが,デバイスにおけるスピン分極の電気的制御を可能にするためには調べられていない。ここでは,キラル単結晶Telluriumナノワイヤにおけるスピン分極の全ての電気発生,操作および検出を実証した。大きい(最大7%)とキラリティー依存性の一方向磁気抵抗を記録することにより,電気的に生成したスピン分極の配向は,ナノワイヤハンドネスによって決定され,その大きさは静電ゲートによって操作できるが,電流方向に従うことを示した。これらの結果は,磁石フリーキラリティーベーススピントロニクスデバイスの開発の道を開いた。【JST・京大機械翻訳】

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半導体-金属接触 , 高分子固体の物理的性質 , その他の計算機 , 光学情報処理 , 分子の立体配置・配座

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