InSeとSb単一層のvan der Waalsヘテロ構造における直接バンドギャップと強いRashba効果【JST・京大機械翻訳】

Fang Dangqi; Chen Siyu; Li Yaqi; Monserrat Bartomeu

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203390442460 整理番号：22P0002970

InSeとSb単一層のvan der Waalsヘテロ構造における直接バンドギャップと強いRashba効果【JST・京大機械翻訳】

Direct band gap and strong Rashba effect in van der Waals heterostructures of InSe and Sb single layers

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発行年： 2020年10月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年12月14日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

異なるタイプの2D材料を積層して形成したVan der Waalsヘテロ構造は,層間励起子のような新しい緊急物理特性のために,ますます注目を集めている。最近合成された原子的に薄いセレン化インジウム(InSe)およびアンチモン(Sb)は,前者における高い電子移動度および後者における高い正孔移動度のような興味深い電子特性を示す。本研究では,InSeとSb単層から成る超薄二層ヘテロ構造の安定性と電子物性に関する第一原理研究を示した。計算した電子バンド構造は,積層パターンに依存しないInSe/Sbヘテロ構造の直接バンドギャップ半導体的性質を明らかにした。スピン-軌道結合を考慮して,伝導バンドの底部で大きなRashbaスピン分裂を見出し,これはヘテロ構造における対称性の破れとの原子スピン-軌道結合に由来する。Rashbaスピン分裂の強度は面内二軸歪または面外外部電場を適用することにより調整できた。InSe/Sb二層ヘテロ構造における適切なバンドギャップと共に大きなRashbaスピン分裂の存在は,スピン電界効果トランジスタおよび光電子デバイス応用に対する有望な候補になる。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

半導体薄膜 , 無機化合物一般及び元素 , 界面の電気的性質一般

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