抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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幅10 ̄8W/cm ̄2から10 ̄13W/cm ̄2までの強度をもつ直線偏光レーザにより照射されたグラフェンの高次高調波発生(HHG)を調べた。線形成長領域から成るHHGのレーザ強度依存性における顕著な膝構造を見出し,続いて飽和HHGのプラトー,次いで非線形成長への遷移を見出した。膝構造は,様々な調和次数に対してかなり普遍的であり,時間依存密度汎関数理論のab initio計算と同様に,2バンド密度行列方程式の計算によって証明されている。2バンドモデルに基づいて,基礎となる機構を明らかにした:線形成長の挙動を,光学伝導率の摂動理論によって解析的に表現することができた。一方,飽和HHGのプラトーと非線形成長への遷移は,BrillouinゾーンにおけるDirac点とM点の周りの格子運動量に対応する電子によって発生する高調波の量子破壊干渉と構造干渉によって引き起こされた。特に,Fermiエネルギーの調整は膝構造を効果的に変えることができ,一方,膝構造のプロファイルは温度に敏感でないことを見出した。3次高調波対同調Fermiエネルギーの計算を最近の実験と比較し,良好な一致を示した。予測した膝構造とその関連特性は,現在の実験技術で観察可能である。【JST・京大機械翻訳】