遷移金属ジカルコゲナイドナノリボンにおけるエッジ磁性:平均場理論と行列式量子モンテカルロ法【JST・京大機械翻訳】

Brito Francisco M. O.; Li Linhu; Lopes Joao M. V. P.; Castro Eduardo V.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203575562364 整理番号：22P0027279

遷移金属ジカルコゲナイドナノリボンにおけるエッジ磁性:平均場理論と行列式量子モンテカルロ法【JST・京大機械翻訳】

Edge magnetism in transition metal dichalcogenide nanoribbons: Mean field theory and determinant quantum Monte Carlo

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発行年： 2022年01月13日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年06月21日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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ジグザグ遷移金属ジカルコゲン化物ナノリボンにおけるエッジ磁性を,局所電子-電子相互作用を有する3バンド強束縛モデルを用いて研究した。平均場理論と不偏,数値的に正確な行列量子モンテカルロ法を適用した。エッジ充填に依存して,平均場理論は異なる相を予測した:ギャップスピン二量体と反強磁性相は2つの特定の充填に対して現れ,金属エッジ-強磁性がそれらの充填から離れている傾向であった。決定論的量子モンテカルロシミュレーションは,他の充填に対する符号問題にもかかわらず,平均場理論と同じエッジ充填での反強磁性ギャップ相の安定性を確認した。得られた結果は,ナノシート中の観察された磁性を理解するための他の重要な成分として,エッジ充填を指摘する。さらに,充填依存エッジ磁性は,スピントロニクスへの可能な応用によって,バックゲート電圧を通して調整できるジグザグナノリボンにおけるスピン分極エッジ電流を生じさせる。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , その他の無機化合物の磁性

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