ヘリ磁性りん化マンガンナノロッド薄膜における粒界トンネリング支配負性磁気抵抗の出現【JST・京大機械翻訳】

Muchharla B.; Madhogaria R. P.; DeTellem D.; Hung C. M.; Chanda A.; Duong A. T.; Huy P. T.; Trinh M. T.; Cho S.; Witanachchi S.; Phan M. H.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203598770150 整理番号：22P0290527

ヘリ磁性りん化マンガンナノロッド薄膜における粒界トンネリング支配負性磁気抵抗の出現【JST・京大機械翻訳】

Emergence of Intergranular Tunneling Dominated Negative Magnetoresistance in Helimagnetic Manganese Phosphide Nanorod Thin Films

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発行年： 2022年02月16日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月16日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ヘリカル磁石は,スピントロニクスとセンサ応用のための新しいクラスの材料として浮上している。しかし,薄膜形状のそれらの電荷とスピン輸送特性に関する研究は,あまり研究されていない。ここでは,広い温度範囲(2-350K)にわたる高結晶性MnPナノロッド薄膜の温度と磁場依存性電荷輸送特性を報告する。100nm厚さのMnPナノロッド膜を,分子線エピタキシーを用いて500°CでSi基板上に成長させた。温度依存抵抗率データは測定した全温度範囲にわたって金属挙動を示した。しかし,12%までの大きな負の磁気抵抗が50K以下で観察され,その系は安定な螺旋(スクリュー)磁気状態に入る。この温度領域では,MR(H,T)依存性は磁場操作相共存を示すようである。観察された磁気抵抗は,粒界スピン依存トンネリング機構によって支配された。これらの発見は,このヘリ磁性系における輸送と磁性の間の相関を指摘する。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の電気伝導 , 酸化物結晶の磁性

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