FeSe単層の半経験的アプローチに対するGWバンド構造の比較【JST・京大機械翻訳】

Qiu Diana Y.; Coh Sinisa; Cohen Marvin L.; Louie Steven G.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203731841090 整理番号：22P0156572

FeSe単層の半経験的アプローチに対するGWバンド構造の比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of GW band structure to semi-empirical approach for an FeSe monolayer

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (4件)： , , ,
資料名：
発行年： 2020年06月08日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年06月08日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

PBE汎関数を有するKohn Sham密度汎関数理論(DFT)の出発平均場に基づく常磁性相中の単層FeSeのG_0W_0バンド構造,コア準位,および変形ポテンシャルを示した。GW補正は,Fermiエネルギー近くのMポケットを形成する状態の帯域幅を増加させるが,Γポケットはおおよそ変化しない。次に,密度関数摂動理論(DFPT)の出発点として用いるとき,FeSe中のDFTを越えて起こる電子-フォノン相互作用の繰り込みを捉えるために最近提案された,簡単な経験的+Aアプローチからのバンド構造とG_0W_0準粒子バンドエネルギーを比較した。この経験的補正は,単層FeSeにおけるGW非局所および動的自己エネルギーの近似に成功し,Fermi面近くのGWバンド構造,コアエネルギー準位および変形ポテンシャル(電子-フォノン結合)を再現することを示した。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

半導体結晶の電子構造 , 分子の電子構造 , 金属系超伝導体の物性 , 電子構造一般

前のページに戻る