抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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トポロジー欠陥は液晶の大規模組織化の根にある。二次元活性ネマチックでは,電荷±1/2のトポロジー欠陥の2つのクラスが活性応力により主要な役割を果たすことが知られている。この重要性にもかかわらず,活性トポロジー欠陥の周りの流れ場と能動応力パターンに関する解析結果はほとんど得られていない。活性系の一般的な流体力学理論を用いて,非有界,二次元活性ネマチックにおけるこれらのトポロジー欠陥周りの流れと応力パターンを調べた。一般的な仮定の下で,著者らは,剪断と回転粘度の両方の存在下で,自己移流欠陥の自発的速度と失速力を解析的に導出した。合流時の伸長した細胞の単層の動力学に著者らの形式を適用して,細胞数の非保存が自己移流速度を増加させ,細胞押出と多層化における観察された役割の説明を提供できることを示した。最後に,Ericksen応力の影響を数値的に調べた。本研究は,活性ネマチックにおけるトポロジー欠陥の役割および特に伸長した細胞の単分子層における一般的研究への道を開いた。【JST・京大機械翻訳】