新しい多孔質窒化アルミニウム単分子層構造  第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Luo Yanwei; Hu Jiahui; Jia Yu

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204038977708 整理番号：22P0102008

新しい多孔質窒化アルミニウム単分子層構造第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Novel Porous Aluminum Nitride Monolayer Structures A First-principles Study

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発行年： 2020年01月17日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年01月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

密度汎関数理論内でab initio計算を用いて,多孔質AlN単層材料の可能な構造と種々の性質を調べた。2種類の多孔質AlN単分子層を同定し,ab in initio分子動力学シミュレーションと共にフォノン分散スペクトルは,それらの構造が安定であることを示した。さらに,これらのAlN多孔質単分子層は,明確な多孔性ナノ構造を持ち,さらに高い比表面積,すなわちグラフェンに匹敵することができ,また,高温で均一に維持されることを示した。さらに,両方の多孔質単分子層は,それぞれ2.89eVと2.86eV間接バンドギャップを有する半導体特性を示した。さらに,そのような多孔性単分子層の電子構造は歪によって調節できる。多孔質AlN単分子層のバンドギャップは,二軸歪が適用されるとき,間接直接遷移を経験する。中程度の9%の圧縮は,このギャップ遷移を誘発することができる。これらの結果は,多孔質AlN単分子層が,将来における基礎となる触媒と同様に,オプトエレクトロニクス応用に使用できることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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分子の電子構造 , 塩

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新しい多孔質窒化アルミニウム単分子層構造 第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

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